Технологии
Трёхмерный стек DRAM (High Bandwidth Memory) размещает 12 слоёв памяти в кубе 25×25 мм, увеличивая пропускную способность в 15 раз.
Компания AMD представила HBM-технологию в 2015 году для видеокарт и серверов, где классическое горизонтальное размещение памяти уже не помогает. Вертикальное наложение чипов памяти сокращает расстояние между ними с 100 микрометров до 50 микрометров, что снижает задержку доступа в 10 раз. Медная межслойная контактизация позволяет 1024 одновременным подключениям, превращая узкое место архитектуры в преимущество производительности.
Часто спрашивают
Правда ли, что трёхмерный стек DRAM (High Bandwidth Memory) размещает 12 слоёв памяти в кубе 25×25 мм, увеличивая пропускную способность в 15 раз?
Компания AMD представила HBM-технологию в 2015 году для видеокарт и серверов, где классическое горизонтальное размещение памяти уже не помогает. Вертикальное наложение чипов памяти сокращает расстояние между ними с 100 микрометров до 50 микрометров, что снижает задержку доступа в 10 раз. Медная межслойная контактизация позволяет 1024 одновременным подключениям, превращая узкое место архитектуры в преимущество производительности.
К какой категории относится этот факт?
Этот факт относится к категории «Технологии». В этом разделе собраны другие удивительные факты по той же теме.
🎮 Сыграть в «Факт или вымысел?»