Спинтроника использует спин электронов вместо их заряда, увеличивая плотность памяти в 1000 раз.

Спинтроника — это область физики и электроники, которая использует внутреннее свойство электрона, называемое спином, вместо его электрического заряда для обработки и хранения информации. Спин можно представить как собственный магнитный момент электрона, ориентированный либо «вверх», либо «вниз», что позволяет кодировать информацию двумя стабильными состояниями аналогично традиционным битам в электронике. Основы спинтроники были заложены в конце XX века усилиями нескольких научных групп. Ключевой вклад сделали физики Альберт Ферт и Петер Грюнберг, которые в 1988 году почти одновременно открыли эффект гигантского магниторезистивного эффекта (ГМР) — явление, при котором электрическое сопротивление материала резко меняется в присутствии магнитного поля. Это открытие стало основой для первого практического спинтронного устройства — магниторезистивной головки для чтения жёсткого диска, реализованной в промышленности в 1997 году. За фундаментальные работы учёные получили Нобелевскую премию по физике в 2007 году. Практическое значение спинтроники огромно. Спинтронные устройства потребляют на 50—80 % меньше энергии, чем традиционные электронные аналоги, и переключаются значительно быстрее. Это позволило увеличить плотность информации в накопителях примерно в 1000 раз за два десятилетия и снизить энергопотребление вычислительных систем. Сегодня магниторезистивная память (МРАМ) применяется в высокоскоростных накопителях, спутниковой электронике и датчиках.